KAROLO/1
Crucible, sets'oants'o sa peo le selikalikoe sa tataiso ho SiC le AIN sebōpi se le seng sa kristale se holisitsoe ka mokhoa oa PVT.
Joalokaha ho bontšitsoe setšoantšong sa 2 [1], ha mokhoa oa ho tsamaisa mouoane oa 'mele (PVT) o sebelisoa ho lokisa SiC, kristale ea peō e sebakeng se batlang se le tlaase mocheso, thepa e tala ea SiC e sebakeng se batlang se le mocheso o phahameng (ka holimo ho 2400).℃), 'me thepa e tala e senyeha ho hlahisa SiXCy (haholo-holo ho kenyeletsa Si, SiC₂, Si₂C, joalo-joalo). Thepa ea karolo ea mouoane e tsamaisoa ho tloha sebakeng sa mocheso o phahameng ho ea ho kristale ea peo sebakeng sa mocheso o tlaase, forming nuclei ea peo, ho hola, le ho hlahisa likristale tse le 'ngoe. Lisebelisoa tsa tšimo ea mocheso tse sebelisoang ts'ebetsong ena, tse kang crucible, lesale la tataiso ea phallo, sets'oants'o sa kristale ea peo, se lokela ho hanyetsa mocheso o phahameng 'me se ke ke sa silafatsa lisebelisoa tse tala tsa SiC le likristale tse le' ngoe tsa SiC. Ka mokhoa o ts'oanang, likarolo tse futhumatsang kholong ea kristale e le 'ngoe ea AlN li hloka ho hanana le Al vapor, N.₂kutu, 'me e hloka ho ba le mocheso o phahameng oa eutectic (ka AlN) ho khutsufatsa nako ea ho lokisetsa kristale.
Ho ile ha fumanoa hore SiC[2-5] le AlN[2-3] li lokisitsoe keTaC e koahetsoelisebelisoa tsa tšimo ea mocheso oa graphite li ne li hloekile, hoo e batlang e se na carbon (oksijene, naetrojene) le litšila tse ling, likoli tse fokolang tse fokolang, matla a fokolang sebakeng se seng le se seng, 'me sekhahla sa micropore le sekoti sa etching se fokotsehile haholo (ka mor'a hore ho behoe KOH), le boleng ba kristale. e ile ea ntlafatsoa haholo. Holim'a moo,TaC crucibletekanyo ea ho theola boima ba 'mele e batla e le zero, ponahalo ha e senyehe, e ka sebelisoa hape (bophelo ho fihlela ho 200h), e ka ntlafatsa ts'ebetso le katleho ea ho itokisa ha kristale e le' ngoe.
FEIE. 2. (a) Setšoantšo sa schematic sa SiC single crystal ingot e ntseng e hōla sesebelisoa ka mokhoa oa PVT
(b) HolimoTaC e koahetsoebracket ea peo (ho kenyeletsoa peo ea SiC)
(c)Lesale la tataiso la graphite le koahetsoeng ke TAC
KAROLO/2
MOCVD GaN epitaxial layer hola hitara
Joalo ka ha ho bonts'itsoe ho Setšoantšo sa 3 (a), kholo ea MOCVD GaN ke theknoloji ea ho beha mouoane oa lik'hemik'hale e sebelisang karabelo ea ho bola ea organometrical ho holisa lifilimi tse tšesaane ka kholo ea mouoane epitaxial. Ho nepahala ha mocheso le ho tšoana ka har'a cavity ho etsa hore heater e be karolo ea bohlokoa ka ho fetisisa ea lisebelisoa tsa MOCVD. Hore na substrate e ka futhumatsoa ka potlako le ka mokhoa o ts'oanang ka nako e telele (tlas'a pholileng khafetsa), botsitso ka mocheso o phahameng (ho hanyetsa ho bola ha khase) le bohloeki ba filimi bo tla ama ka ho toba boleng ba ho behoa ha filimi, botenya bo tsitsitseng, le tshebetso ya chip.
Bakeng sa ho ntlafatsa ts'ebetso le ts'ebetso e ncha ea heater ho sistimi ea kholo ea MOCVD GaN,TAC e koahetsoengheater ea graphite e kentsoe ka katleho. Ha ho bapisoa le GaN epitaxial layer e hōlileng ka heater e tloaelehileng (ho sebelisa pBN coating), GaN epitaxial layer e hōlileng ka TaC heater e batla e tšoana le sebopeho sa kristale, ho lekana ha botenya, liphoso tsa ka hare, doping ea litšila le tšilafalo. Ho feta moo, theHo roala ha TaCe na le resistivity e tlaase le e fokolang holim'a metsi, e ka ntlafatsang ts'ebetso le ho tšoana ha mocheso, kahoo e fokotsa tšebeliso ea matla le tahlehelo ea mocheso. Porosity ea ho roala e ka fetoloa ka ho laola mekhoa ea ts'ebetso ho ntlafatsa ka ho eketsehileng litšobotsi tsa mahlaseli a futhumatsang le ho lelefatsa bophelo ba eona ba tšebeletso [5]. Melemo ena e etsaTaC e koahetsoegraphite heaters khetho e babatsehang bakeng sa mekhoa ea kholo ea MOCVD GaN.
FEIE. 3. (a) Setšoantšo sa moralo oa sesebelisoa sa MOCVD bakeng sa kholo ea GaN epitaxial
(b) Sefuthumatsi sa graphite se entsoeng ka TAC se kentsoeng ho setupong sa MOCVD, ho sa kenyeletsoe setsi le borakete (setšoantšo se bonts'ang setsi le borakete ho futhumatsang)
(c) TAC e koahetsoeng ka graphite heater ka mor'a 17 GaN epitaxial kgolo. [6]
KAROLO/3
Sesepa se koahetsoeng bakeng sa epitaxy (sepalangoang sa liphaephe)
Wafer carrier ke karolo ea bohlokoa ea sebopeho bakeng sa ho lokisoa ha SiC, AlN, GaN le li-wafers tse ling tsa sehlopha sa boraro sa semiconductor le kholo ea epitaxial wafer. Bongata ba li-carriers li entsoe ka graphite 'me li koahetsoe ka SiC coating ho hanela kutu ho tsoa likhase tse sebetsang, ka mocheso oa epitaxial oa 1100 ho isa ho 1600.°C, 'me ho hanyetsa kutu ha lesela le sireletsang ho bapala karolo ea bohlokoa bophelong ba sejari sa liphaphatha. Liphetho li bontša hore sekhahla sa kutu sa TaC se butle ka makhetlo a 6 ho feta SiC mochesong o phahameng oa ammonia. Mochesong o phahameng oa hydrogen, sekhahla sa kutu se feta makhetlo a 10 butle ho feta SiC.
Ho ipakile ka liteko hore literei tse koahetsoeng ka TaC li bonts'a ts'ebelisano e ntle ts'ebetsong ea leseli le leputsoa la GaN MOCVD mme ha li hlahise litšila. Ka mor'a liphetoho tse fokolang tsa ts'ebetso, li-leds tse hōlileng ka ho sebelisa li-carriers tsa TaC li bonts'a ts'ebetso le ts'ebetso e ts'oanang le ea bajari ba SiC ba tloaelehileng. Ka hona, bophelo ba ts'ebeletso ea li-pallets tse koahetsoeng ke TAC li molemo ho feta tsa enke ea majoe e se nang letho leSiC e koahetsoengliphanele tsa graphite.
Nako ea poso: Mar-05-2024