E le e 'ngoe ea likarolo tsa mantlha tsaLisebelisoa tsa MOCVD, graphite base ke mojari le futhumatsang 'mele oa substrate, e leng ka ho toba etsa qeto ea ho ts'oana le bohloeki ba lintho tse bonahalang filimi, kahoo boleng ba eona e ama ka ho toba ho lokisetsa lakane epitaxial,' me ka nako e tšoanang, le keketseho ea palo ea. lisebelisoa le ho fetoha ha maemo a ho sebetsa, ho bonolo haholo ho apara, e leng ea thepa e sebelisoang.
Le hoja graphite e na le conductivity e babatsehang ea mocheso le botsitso, e na le molemo o motle e le karolo ea motheo eaLisebelisoa tsa MOCVD, empa ts'ebetsong ea tlhahiso, graphite e tla senya phofo ka lebaka la masala a likhase tse senyang le lintho tse entsoeng ka tšepe, 'me bophelo ba tšebeletso ea setsi sa graphite bo tla fokotseha haholo. Ka nako e ts'oanang, phofo ea graphite e oelang e tla baka tšilafalo ho chip.
Ho hlaha ha theknoloji ea ho roala ho ka fana ka ho lokisa phofo ea holim'a metsi, ho matlafatsa conductivity ea mocheso, le ho lekanya kabo ea mocheso, e fetohileng theknoloji e ka sehloohong ea ho rarolla bothata bona. Graphite base inLisebelisoa tsa MOCVDtikoloho ea tšebeliso, graphite base base barbar ba lokela ho kopana le litšobotsi tse latelang:
(1) Setsi sa graphite se ka phutheloa ka ho feletseng, 'me boima bo botle, ho seng joalo motheo oa graphite o bonolo ho senyeha ka khase e senyang.
(2) Matla a kopantsoeng le setsi sa graphite a phahame ho etsa bonnete ba hore ho roala ha ho bonolo ho oela ka mor'a mocheso o mongata o phahameng le mocheso o tlaase.
(3) E na le botsitso bo botle ba lik'hemik'hale ho qoba ho hloleha ho koahela mocheso ka mocheso o phahameng le sepakapaka se senyang.
SiC e na le melemo ea ho hanyetsa kutu, mocheso o phahameng oa mocheso, ho hanyetsa mocheso oa mocheso le botsitso bo phahameng ba lik'hemik'hale, 'me e ka sebetsa hantle GaN epitaxial atmosphere. Ho phaella moo, coefficient ea ho atolosa mocheso oa SiC e fapane haholo le ea graphite, kahoo SiC ke thepa e khethiloeng bakeng sa ho roala holim'a setsi sa graphite.
Hajoale, SiC e tloaelehileng haholo ke mofuta oa 3C, 4H le 6H, mme SiC e sebelisa mefuta e fapaneng ea kristale e fapane. Ka mohlala, 4H-SiC e ka etsa lisebelisoa tse matla haholo; 6H-SiC ke eona e tsitsitseng ka ho fetisisa ebile e ka etsa lisebelisoa tsa photoelectric; Ka lebaka la sebopeho sa eona se tšoanang le GaN, 3C-SiC e ka sebelisoa ho hlahisa GaN epitaxial layer le ho etsa lisebelisoa tsa SiC-GaN RF. 3C-SiC e boetse e tsejoa e leβ-SiC, le tšebeliso ea bohlokoa eaβ-SiC e tšoana le filimi le thepa ea ho roala, kahooβ-SiC hona joale ke thepa e ka sehloohong ea ho roala.
Nako ea poso: Nov-06-2023