Ntlha ea pele, sebopeho le thepa ea kristale ea SiC.
SiC ke motsoako oa binary o entsoeng ke Si element le C element ka karo-karolelano ea 1: 1, ke hore, 50% silicon (Si) le 50% carbon (C), 'me setsi sa eona sa motheo ke SI-C tetrahedron.
Setšoantšo sa moralo oa sebopeho sa silicon carbide tetrahedron
Ka mohlala, liathomo tsa Si li khōlō ka bophara, li lekana le apole, ’me liathomo tsa C li nyenyane ka bophara, li lekana le lamunu, ’me palo e lekanang ea lilamunu le liapole li bokelloa hammoho ho etsa kristale ea SiC.
SiC is A binary compound, eo ho eona Si-Si bond spacing atom 3.89 A, ho utloisisa sebaka see joang?Hona joale, mochine o motle ka ho fetisisa oa lithography 'marakeng o na le ho nepahala ha lithography ea 3nm, e leng sebaka sa 30A, le ho nepahala ha lithography ke makhetlo a 8 ho feta sebaka sa athomo.
Matla a matla a Si-Si ke 310 kJ / mol, kahoo o ka utloisisa hore matla a tlamahano ke matla a hulang liathomo tsena tse peli ka thōko, 'me matla a matla a tlamahano a maholo, matla a mangata ao u lokelang ho a hula.
Ka mohlala, liathomo tsa Si li khōlō ka bophara, li lekana le apole, ’me liathomo tsa C li nyenyane ka bophara, li lekana le lamunu, ’me palo e lekanang ea lilamunu le liapole li bokelloa hammoho ho etsa kristale ea SiC.
SiC is A binary compound, eo ho eona Si-Si bond spacing atom 3.89 A, ho utloisisa sebaka see joang?Hona joale, mochine o motle ka ho fetisisa oa lithography 'marakeng o na le ho nepahala ha lithography ea 3nm, e leng sebaka sa 30A, le ho nepahala ha lithography ke makhetlo a 8 ho feta sebaka sa athomo.
Matla a matla a Si-Si ke 310 kJ / mol, kahoo o ka utloisisa hore matla a tlamahano ke matla a hulang liathomo tsena tse peli ka thōko, 'me matla a matla a tlamahano a maholo, matla a mangata ao u lokelang ho a hula.
Setšoantšo sa moralo oa sebopeho sa silicon carbide tetrahedron
Ka mohlala, liathomo tsa Si li khōlō ka bophara, li lekana le apole, ’me liathomo tsa C li nyenyane ka bophara, li lekana le lamunu, ’me palo e lekanang ea lilamunu le liapole li bokelloa hammoho ho etsa kristale ea SiC.
SiC is A binary compound, eo ho eona Si-Si bond spacing atom 3.89 A, ho utloisisa sebaka see joang?Hona joale, mochine o motle ka ho fetisisa oa lithography 'marakeng o na le ho nepahala ha lithography ea 3nm, e leng sebaka sa 30A, le ho nepahala ha lithography ke makhetlo a 8 ho feta sebaka sa athomo.
Matla a matla a Si-Si ke 310 kJ / mol, kahoo o ka utloisisa hore matla a tlamahano ke matla a hulang liathomo tsena tse peli ka thōko, 'me matla a matla a tlamahano a maholo, matla a mangata ao u lokelang ho a hula.
Ka mohlala, liathomo tsa Si li khōlō ka bophara, li lekana le apole, ’me liathomo tsa C li nyenyane ka bophara, li lekana le lamunu, ’me palo e lekanang ea lilamunu le liapole li bokelloa hammoho ho etsa kristale ea SiC.
SiC is A binary compound, eo ho eona Si-Si bond spacing atom 3.89 A, ho utloisisa sebaka see joang?Hona joale, mochine o motle ka ho fetisisa oa lithography 'marakeng o na le ho nepahala ha lithography ea 3nm, e leng sebaka sa 30A, le ho nepahala ha lithography ke makhetlo a 8 ho feta sebaka sa athomo.
Matla a matla a Si-Si ke 310 kJ / mol, kahoo o ka utloisisa hore matla a tlamahano ke matla a hulang liathomo tsena tse peli ka thōko, 'me matla a matla a tlamahano a maholo, matla a mangata ao u lokelang ho a hula.
Rea tseba hore ntho e 'ngoe le e' ngoe e entsoe ka liathomo, 'me sebopeho sa kristale ke tlhophiso ea kamehla ea liathomo, e bitsoang taelo ea nako e telele, joalo ka tse latelang.Sehlopha se senyenyane ka ho fetisisa sa kristale se bitsoa sele, haeba sele e le mohaho oa li-cubic, o bitsoa cubic e haufi-ufi, 'me sele ke mohaho oa hexagonal, o bitsoa "hexagonal" e haufi-ufi.
Mefuta e tloaelehileng ea kristale ea SiC e kenyelletsa 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC, 15R-SiC, joalo-joalo Tatelano ea bona ea stacking ka tataiso ea c axis e bontšoa setšoantšong.
Har'a bona, tatellano ea motheo ea stacking ea 4H-SiC ke ABCB...;Tatelano ea motheo ea stacking ea 6H-SiC ke ABCACB... ;Tatelano ea motheo ea stacking ea 15R-SiC ke ABCACBCABACABCB... .
Sena se ka bonoa e le setene sa ho haha ntlo, tse ling tsa litene tsa ntlo li na le litsela tse tharo tsa ho li beha, tse ling li na le litsela tse 'nè tsa ho li beha, tse ling li na le litsela tse tšeletseng.
Likarolo tsa mantlha tsa lisele tsa mefuta ena e tloaelehileng ea kristale ea SiC li bonts'oa tafoleng:
A, b, c le likhutlo li bolela eng?Sebopeho sa sele e nyane ka ho fetisisa ea semiconductor ea SiC e hlalosoa ka tsela e latelang:
Tabeng ea sele e le 'ngoe, sebopeho sa kristale le sona se tla fapana, sena se tšoana le ha re reka lotho, nomoro ea ho hlōla ke 1, 2, 3, u rekile 1, 2, 3 linomoro tse tharo, empa haeba palo e hlophisitsoe. ka tsela e fapaneng, chelete e hlōlang e fapane, kahoo palo le taelo ea kristale e tšoanang, e ka bitsoa kristale e tšoanang.
Setšoantšo se latelang se bontša mekhoa e 'meli e tloaelehileng ea stacking, feela phapang ea mokhoa oa ho bokella oa liathomo tse ka holimo, sebopeho sa kristale se fapane.
Sebopeho sa kristale se entsoeng ke SiC se amana haholo le mocheso.Tlas'a ketso ea mocheso o phahameng oa 1900 ~ 2000 ℃, 3C-SiC e tla fetoha butle-butle ho polyform ea SiC e nang le hexagonal e kang 6H-SiC ka lebaka la botsitso ba eona bo bobe ba sebopeho.Ke hantle ka lebaka la ho ba le kamano e matla pakeng tsa monyetla oa ho thehoa ha SiC polymorphs le mocheso, le ho se tsitse ha 3C-SiC ka boeona, tekanyo ea kholo ea 3C-SiC e thata ho ntlafatsa, 'me ho itokisetsa ho thata.Tsamaiso ea hexagonal ea 4H-SiC le 6H-SiC ke eona e tloaelehileng ka ho fetisisa le e bonolo ho itokisetsa, 'me e ithutoa haholo ka lebaka la litšobotsi tsa bona.
Bolelele ba bond ea SI-C bond ho SiC crystal ke 1.89A feela, empa matla a tlamang a phahame ho feta 4.53eV.Ka hona, lekhalo la matla a matla pakeng tsa naha ea tlamahano le naha e khahlanong le bonding e kholo haholo, 'me ho ka thehoa lekhalo le leholo la lihlopha, e leng makhetlo a' maloa a Si le GaAs.Bophara ba lekhalo le phahameng la sehlopha se bolela hore sebopeho sa kristale se phahameng sa mocheso se tsitsitse.Lisebelisoa tsa elektronike tse amanang le matla li ka lemoha litšobotsi tsa ts'ebetso e tsitsitseng mocheso o phahameng le mokhoa o bonolo oa ho senya mocheso.
Ho tlamahane ka thata ha Si-C bond ho etsa hore lesela le be le maqhubu a phahameng a ho sisinyeha, ke hore, phonon ea matla a phahameng, e bolelang hore kristale ea SiC e na le motsamao o phahameng oa elektronike o tletseng mocheso le conductivity ea mocheso, 'me lisebelisoa tsa elektronike tse amanang le matla li na le lebelo le phahameng la ho fetoha le ho tšepahala, e leng ho fokotsang kotsi ea ho hlōleha ha mocheso o feteletseng oa sesebelisoa.Ntle le moo, matla a phahameng a ts'ebetso ea SiC a e lumella ho fihlela maemo a holimo a doping le ho ba le khanyetso e tlase.
Ea bobeli, histori ea tsoelo-pele ea kristale ea SiC
Ka 1905, Ngaka Henri Moissan o ile a sibolla kristale ea tlhaho ea SiC ka har'a crater, eo a ileng a e fumana e tšoana le daemane mme a e reha taemane ea Mosan.
Ha e le hantle, khale ka 1885, Acheson o ile a fumana SiC ka ho kopanya coke le silica le ho e futhumatsa ka sebōping sa motlakase.Ka nako eo, batho ba ne ba e nka e le motsoako oa litaemane ’me ba e bitsa emery.
Ka 1892, Acheson o ile a ntlafatsa ts'ebetso ea ho kopanya, a kopanya lehlabathe la quartz, coke, palo e nyane ea mapolanka le NaCl, 'me ae futhumatsa ka sebōping sa motlakase sa arc ho 2700 ℃,' me a atleha ho fumana likristale tsa scaly SiC.Mokhoa ona oa ho kopanya likristale tsa SiC o tsejoa e le mokhoa oa Acheson mme e ntse e le mokhoa o ka sehloohong oa ho hlahisa li-abrasive tsa SiC indastering.Ka lebaka la bohloeki bo tlase ba lisebelisoa tse tala tsa maiketsetso le mokhoa o thata oa ho kopanya, mokhoa oa Acheson o hlahisa litšila tse ngata tsa SiC, botšepehi bo fokolang ba kristale le bophara bo bonyenyane ba kristale, ho leng thata ho finyella litlhoko tsa indasteri ea semiconductor bakeng sa boholo bo boholo, bohloeki bo phahameng le bo phahameng. - likristale tsa boleng, 'me li ke ke tsa sebelisoa ho etsa lisebelisoa tsa elektroniki.
Lely oa Philips Laboratory o ile a etsa tlhahiso ea mokhoa o mocha oa ho hōlisa likristale tse le 'ngoe tsa SiC ka 1955. Mokhoa ona, graphite crucible e sebelisoa e le sekepe sa ho hōla, SiC powder crystal e sebelisoa e le thepa e tala bakeng sa ho hōla SiC crystal, le porous graphite e sebelisetsoa ho itšehla thajana. sebaka se sekoti ho tloha bohareng ba sehlahla se melang.Ha e ntse e hola, graphite crucible e futhumatsoa ho 2500 ℃ tlas'a sepakapaka sa Ar kapa H2, 'me phofshoana ea SiC ea peripheral e theoleloa ebe e senyeha ho ba lintho tsa Si le C tsa mouoane,' me kristale ea SiC e holisoa sebakeng se sekoti se bohareng kamora khase. phallo e fetisoa ka porous graphite.
Ea boraro, theknoloji ea kholo ea kristale ea SiC
Khōlo e le 'ngoe ea kristale ea SiC e thata ka lebaka la litšobotsi tsa eona.Sena se bakoa haholo ke taba ea hore ha ho na mohato oa mokelikeli o nang le karo-karolelano ea stoichiometric ea Si: C = 1: 1 ka khatello ea sepakapaka, 'me e ke ke ea hōlileng ka mekhoa ea khōlo e hōlileng ka ho fetisisa e sebelisoang ke mokhoa oa hona joale oa ho hōla o tloaelehileng oa semiconductor. indasteri - cZ mokhoa, falling crucible mokhoa le mekhoa e meng.Ho ea ka lipalo tsa theoretical, feela ha khatello e le kholo ho feta 10E5atm le mocheso o phahameng ho feta 3200 ℃, tekanyo ea stoichiometric ea Si: C = 1: 1 tharollo e ka fumanoa.E le ho hlōla bothata bona, bo-rasaense ba entse boiteko bo matla ba ho etsa tlhahiso ea mekhoa e sa tšoaneng ea ho fumana boleng bo phahameng ba kristale, boholo bo boholo le likristale tse theko e tlaase tsa SiC.Hajoale, mekhoa ea mantlha ke mokhoa oa PVT, mokhoa oa mokelikeli oa mokelikeli le mokhoa oa ho beha lik'hemik'hale oa mocheso o phahameng oa mocheso.
Nako ea poso: Jan-24-2024